三星Galaxy S26 Edge跑分曝光：搭载骁龙8 Elite 2超频版 性能略超普通版

【TechWeb】这段时间以来，各大手机厂商下半年的年度旗舰已陆续得到曝光，受到了外界的广泛关注，其中搭载高通新一代骁龙旗舰平台的机型自然备受关注。据悉，今年的高通骁龙峰会2025将于9月23日-9月25日举行，届时骁龙8 Elite 2将正式登场。现在有最新消息，近日有数码博主进一步带来了将搭载该芯片的三星Galaxy S26 Edge的Geekbench跑分数据。

据知名数码博主@体验more 最新发布的信息显示，全新的三星Galaxy S26 Edge的Geekbench跑分数据已公布，该机将搭载高通为三星定制的骁龙8 Elite 2超频版移动平台，其单核跑分为3393分，多核跑分达到11515分。同时该博主透露，该平台采用了独特的CPU架构设计，配备2颗4.74GHz超大核和6颗3.63GHz大核。该博主透露，国内厂商使用的普通版本频率会略低0.1X左右，约为4.6GHz。GPU方面，该平台搭载了Adreno 840图形处理器，为游戏和高负载应用提供强劲的支持。

其他方面，根据此前曝光的消息，全新的三星Galaxy S26 Edge不仅将延续超薄机身的设计理念，还配备了新材料电池，这使得其在续航能力上有望实现大幅提升。据了解，关于Galaxy S26 Edge电池容量的说法有两种：官方规格显示为4400mAh，而供应链方面则显示为4200mAh。尽管存在差异，但无论哪种情况，其电池容量相比前代产品Galaxy S25 Edge的3900mAh，都有明显的提升。

据悉，三星将在明年1月发布Galaxy S26系列，共三款机型，分别是Galaxy S26、Galaxy S26 Edge和Galaxy S26 Ultra。更多详细信息，我们拭目以待。(Suky)